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AOTF7N60  与  IPA80R900P7  区别

型号 AOTF7N60 IPA80R900P7
唯样编号 A-AOTF7N60 A-IPA80R900P7
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 6.6 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 1200mΩ@10V 900mΩ@2.2A,10V
ESD Diode No -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 350pF @ 500V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 15nC @ 10V
Qgd(nC) 11.2 -
栅极电压Vgs 30V ±20V
Td(on)(ns) 25 -
封装/外壳 TO-220F PG-TO220-3
连续漏极电流Id 7A 6A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 861 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 110µA
Trr(ns) 255 -
Td(off)(ns) 51.5 -
漏源极电压Vds 600V 800V
Pd-功率耗散(Max) 38.5W 26W(Tc)
Qrr(nC) 2600 -
VGS(th) 4.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - CoolMOS™ P7
Coss(pF) 84 -
Qg*(nC) 23.2 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOTF7N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 30V 7A 38.5W 1200mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
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800V 6A 780mΩ 20V 39W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPA80R900P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 800V 6A(Tc) ±20V 26W(Tc) 900mΩ@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO220-3

暂无价格 0 对比

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