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AOTF42S60L  与  IPP65R110CFD  区别

型号 AOTF42S60L IPP65R110CFD
唯样编号 A-AOTF42S60L A-IPP65R110CFD
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 2.7 -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 99mΩ@10V 110mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 11ns
Qg-栅极电荷 - 118nC
Qgd(nC) 11.9 -
栅极电压Vgs 30V 20V
Td(on)(ns) 38.5 -
封装/外壳 TO-220F -
连续漏极电流Id 39A 31.2A
工作温度 - -55°C~150°C
Ciss(pF) 2154 -
配置 - Single
长度 - 10mm
下降时间 - 6nS
Schottky Diode No -
高度 - 15.65mm
Trr(ns) 473 -
Td(off)(ns) 136 -
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 37.9W 277.8W
Qrr(nC) 10500 -
VGS(th) 3.8 -
典型关闭延迟时间 - 68nS
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSCFD2
Coss(pF) 135 -
Qg*(nC) 40* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOTF42S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 30V 39A 37.9W 99mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
IPP65R110CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

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