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AOTF42S60L  与  IPA60R099C6XKSA1  区别

型号 AOTF42S60L IPA60R099C6XKSA1
唯样编号 A-AOTF42S60L A-IPA60R099C6XKSA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 2.7 -
功率耗散(最大值) - 35W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 99mΩ@10V -
ESD Diode No -
Qgd(nC) 11.9 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2660pF @ 100V
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 38.5 -
封装/外壳 TO-220F TO-220-3 整包
连续漏极电流Id 39A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 119nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 2154 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 99 毫欧 @ 18.1A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 473 -
Td(off)(ns) 136 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 37.9W -
Qrr(nC) 10500 -
VGS(th) 3.8 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 1.21mA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 37.9A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
Coss(pF) 135 -
Qg*(nC) 40* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOTF42S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 30V 39A 37.9W 99mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
IPA60R099C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R099C6_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
TK25E60X,S1X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 180W(Tc) TO-220 150°C(TJ) 600 V 25A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPP65R125C7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R125C7_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPP60R125P6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R125P6_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPA60R125C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R125C6_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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