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AOTF2916L  与  IRLI2910PBF  区别

型号 AOTF2916L IRLI2910PBF
唯样编号 A-AOTF2916L A-IRLI2910PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 63 W 140 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220FPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 3.5 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 34mΩ@10V 26mΩ@16A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 43mΩ -
Qgd(nC) 2 -
栅极电压Vgs 20V ±16V
Td(on)(ns) 7.5 -
封装/外壳 TO-220F TO-220AB
连续漏极电流Id 17A 31A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 870 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3700pF @ 25V
Trr(ns) 20 -
Td(off)(ns) 23 -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 23.5W 63W(Tc)
Qrr(nC) 88 -
VGS(th) 2.7 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3700pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 140nC @ 5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 140nC @ 5V
Coss(pF) 68 -
Qg*(nC) 5.5 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOTF2916L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 100V 20V 17A 23.5W 34mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
IRLI2910PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 63W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 26mΩ@16A,10V N-Channel 100V 31A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRFI1310NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 56W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 36mΩ@13A,10V N-Channel 100V 24A TO-220AB

暂无价格 0 对比
AOT416_002 AOS 功率MOSFET

N-Channel TO-220

暂无价格 0 对比
AOT416 AOS 功率MOSFET

4.7A(Ta),42A(Tc) N-Channel ±25V 37 mΩ @ 20A,10V TO-220 1.92W(Ta),150W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比
IRLI2910 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 31A(Tc) ±16V 63W(Tc) 26mΩ@16A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB

暂无价格 0 对比

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