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AOTF266L  与  IPA032N06N3GXKSA1  区别

型号 AOTF266L IPA032N06N3GXKSA1
唯样编号 A-AOTF266L A-IPA032N06N3GXKSA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 20 -
功率耗散(最大值) - 41W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 4mΩ -
Qgd(nC) 7 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 13000pF @ 30V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 21 -
封装/外壳 TO-220F TO-220-3 整包
连续漏极电流Id 78A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 165nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 5650 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.2 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 27 -
Td(off)(ns) 36 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 45.5W -
Qrr(nC) 145 -
VGS(th) 3.2 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 118uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 84A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
Coss(pF) 720 -
Qg*(nC) 65* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOTF266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 60V 20V 78A 45.5W 3.5mΩ@10V

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IPA032N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA032N06N3GXKSA1_60V 84A 3.2mΩ 20V 41W N-Channel -55°C~175°C

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IPA032N06N3 G_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 175°C(TJ)

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