首页 > 商品目录 > > > > AOTF25S65代替型号比较

AOTF25S65  与  R6025JNXC7G  区别

型号 AOTF25S65 R6025JNXC7G
唯样编号 A-AOTF25S65 A33-R6025JNXC7G-0
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 1.4 -
功率耗散(最大值) - 85W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ@10V -
ESD Diode No -
Qgd(nC) 9.5 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1900pF @ 100V
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 29 -
封装/外壳 TO-220F TO-220FM
连续漏极电流Id 25A -
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 1278 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 182 毫欧 @ 12.5A,15V
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 15V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 408 -
Td(off)(ns) 112 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 50W -
Qrr(nC) 8270 -
VGS(th) 4 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 7V @ 4.5mA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 25A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
Coss(pF) 87 -
Qg*(nC) 26.4* -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 57nC @ 15V
库存与单价
库存 0 700
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
3+ :  ¥73.7079
10+ :  ¥40.5432
50+ :  ¥36.4898
100+ :  ¥28.9581
500+ :  ¥26.0642
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOTF25S65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F

暂无价格 0 当前型号
STF26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

¥6.985 

阶梯数 价格
8: ¥6.985
100: ¥5.577
1,000: ¥5.17
5,003 对比
R6025JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

¥73.7079 

阶梯数 价格
3: ¥73.7079
10: ¥40.5432
50: ¥36.4898
100: ¥28.9581
500: ¥26.0642
700 对比
R6020ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥25.9989 

阶梯数 价格
1: ¥25.9989
100: ¥13.8834
500: ¥10.0377
500 对比
R6030MNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 500 对比
R6020KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥33.0616 

阶梯数 价格
1: ¥33.0616
100: ¥19.1096
500: ¥12.1155
500 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售