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AOTF25S65  与  R6025JNXC7G  区别

型号 AOTF25S65 R6025JNXC7G
唯样编号 A-AOTF25S65 A33-R6025JNXC7G-0
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 1.4 -
功率耗散(最大值) - 85W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ@10V -
ESD Diode No -
Qgd(nC) 9.5 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1900pF @ 100V
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 29 -
封装/外壳 TO-220F TO-220FM
连续漏极电流Id 25A -
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 1278 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 182 毫欧 @ 12.5A,15V
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 15V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 408 -
Td(off)(ns) 112 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 50W -
Qrr(nC) 8270 -
VGS(th) 4 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 7V @ 4.5mA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 25A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
Coss(pF) 87 -
Qg*(nC) 26.4* -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 57nC @ 15V
库存与单价
库存 0 700
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
4+ :  ¥47.6437
10+ :  ¥23.2949
30+ :  ¥19.5098
50+ :  ¥18.7528
100+ :  ¥18.1874
300+ :  ¥17.8137
500+ :  ¥17.7371
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOTF25S65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 650V 30V 25A 50W 190mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
STF24NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 30W(Tc) 190mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 17A

暂无价格 60,000 对比
STF26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 35W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 20A

暂无价格 10,000 对比
STF21N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 6,000 对比
R6025JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-220FM

¥47.6437 

阶梯数 价格
4: ¥47.6437
10: ¥23.2949
30: ¥19.5098
50: ¥18.7528
100: ¥18.1874
300: ¥17.8137
500: ¥17.7371
700 对比
R6030MNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±30V 90W(Tc) 150mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 600V 30A(Tc)

暂无价格 500 对比

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