首页 > 商品目录 > > > > AOTF12N65代替型号比较

AOTF12N65  与  R6007JNXC7G  区别

型号 AOTF12N65 R6007JNXC7G
唯样编号 A-AOTF12N65 A3-R6007JNXC7G
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 11.5 -
功率耗散(最大值) - 46W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 720mΩ@10V -
ESD Diode No -
Qgd(nC) 16.8 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 475pF @ 100V
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 36 -
封装/外壳 TO-220F TO-220FM
连续漏极电流Id 12A -
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 1792 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 780 毫欧 @ 3.5A,15V
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 15V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 375 -
Td(off)(ns) 120 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 50W -
Qrr(nC) 7500 -
VGS(th) 5 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 7V @ 1mA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 7A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
Coss(pF) 152 -
Qg*(nC) 39.8* -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 17.5nC @ 15V
库存与单价
库存 0 50
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOTF12N65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F

暂无价格 0 当前型号
STP10NK60ZFP STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

¥2.607 

阶梯数 价格
20: ¥2.607
50: ¥2.002
1,000: ¥1.683
2,118 对比
R6007JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

¥10.2724 

阶梯数 价格
20: ¥10.2724
50: ¥9.4962
100: ¥9.0267
500: ¥8.4134
990 对比
STP10NK70ZFP STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

¥6.391 

阶梯数 价格
8: ¥6.391
100: ¥5.104
375 对比
R6007ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥5.05 

阶梯数 价格
30: ¥5.05
50: ¥4.9542
100: ¥4.8583
212 对比
R6007JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

暂无价格 50 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售