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AOTF11N60L  与  R6007JNXC7G  区别

型号 AOTF11N60L R6007JNXC7G
唯样编号 A-AOTF11N60L A3-R6007JNXC7G
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 46W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 650 mΩ @ 5.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 37.9W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 475pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220-3F TO-220FM
连续漏极电流Id 11A(Tc) -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 7V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 780 毫欧 @ 3.5A,15V
栅极电荷Qg 37nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 15V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 7A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 17.5nC @ 15V
库存与单价
库存 0 50
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOTF11N60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3F

暂无价格 0 当前型号
STP10NK60ZFP STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

¥2.607 

阶梯数 价格
20: ¥2.607
50: ¥2.002
1,000: ¥1.683
2,118 对比
R6007JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

¥10.2724 

阶梯数 价格
20: ¥10.2724
50: ¥9.4962
100: ¥9.0267
500: ¥8.4134
990 对比
STP10NK70ZFP STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

¥6.391 

阶梯数 价格
8: ¥6.391
100: ¥5.104
375 对比
R6007KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥6.7173 

阶梯数 价格
30: ¥6.7173
50: ¥6.5927
94 对比
R6007JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

暂无价格 50 对比

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