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AOT7S65L  与  IPP60R750E6  区别

型号 AOT7S65L IPP60R750E6
唯样编号 A-AOT7S65L A-IPP60R750E6
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 1 Ohms -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 650mΩ@10V 680mΩ
ESD Diode No -
Qgd(nC) 2.7 -
栅极电压Vgs 30V 20V
封装/外壳 TO-220 -
连续漏极电流Id 7A 5.7A
工作温度 - -55°C~150°C
Ciss(pF) 434 -
配置 - Single
长度 - 10mm
Schottky Diode No -
高度 - 15.65mm
Trr(ns) 224 -
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 104W 48W
Qrr(nC) 2.8 -
VGS(th) 3.3 -
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSE6
Coss(pF) 30 -
Qg*(nC) 9.2 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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