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AOT5N100  与  FQP4N90C  区别

型号 AOT5N100 FQP4N90C
唯样编号 A-AOT5N100 A32-FQP4N90C
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 6 -
功率 - 140W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4200mΩ@10V 4.2 欧姆 @ 2A,10V
ESD Diode No -
Qgd(nC) 6.5 -
栅极电压Vgs 30V ±30V
Td(on)(ns) 27 -
封装/外壳 TO-220 TO-220-3
连续漏极电流Id 4A 4A(Tc)
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 950 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 960pF @ 25V
Trr(ns) 450 -
Td(off)(ns) 50 -
漏源极电压Vds 1000V 900V
Pd-功率耗散(Max) 195W 140W(Tc)
Qrr(nC) 5500 -
VGS(th) 4.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - QFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 960pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 10V
Coss(pF) 62 -
Qg*(nC) 19* -
库存与单价
库存 0 23
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥1.6786
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