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AOT470  与  IRFB3607PBF  区别

型号 AOT470 IRFB3607PBF
唯样编号 A-AOT470 A33-IRFB3607PBF-0
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.5mΩ@30A,10V 9mΩ@46A,10V
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 268W 140W(Tc)
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220 TO-220AB
连续漏极电流Id 100A 80A
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3070pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 84nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 5,000 2,000
工厂交货期 3 - 5天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥4.1205
50+ :  ¥4.0247
100+ :  ¥3.833
500+ :  ¥3.833
1,000+ :  ¥3.7372
2,000+ :  ¥3.6414
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT470 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 5,000 当前型号
IRFB3607PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥4.1205 

阶梯数 价格
40: ¥4.1205
50: ¥4.0247
100: ¥3.833
500: ¥3.833
1,000: ¥3.7372
2,000: ¥3.6414
2,000 对比
STP75NF75 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥3.641 

阶梯数 价格
20: ¥3.641
100: ¥2.904
1,000: ¥2.695
1,975 对比
IRFB3607PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
STP80NF55-08 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥7.711 

阶梯数 价格
7: ¥7.711
100: ¥6.523
220 对比
IRFB3607PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥2.145 

阶梯数 价格
30: ¥2.145
50: ¥1.65
94 对比

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