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AOT414  与  DMNH10H028SCT  区别

型号 AOT414 DMNH10H028SCT
唯样编号 A-AOT414 A-DMNH10H028SCT
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 55 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 25mΩ@10V 28mΩ@20A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 31mΩ -
产品特性 - 车规
Qgd(nC) 10 -
栅极电压Vgs 25V ±20V
Td(on)(ns) 12 -
封装/外壳 TO-220 TO-220-3
连续漏极电流Id 43A 60A(Tc)
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 1770 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 20 -
Td(off)(ns) 17 -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 115W 2.8W(Ta)
Qrr(nC) 82 -
VGS(th) 4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - 汽车级,AEC-Q101
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1942pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31.9nC @ 10V
Coss(pF) 165 -
Qg*(nC) 28* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT414 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 100V 25V 43A 115W 25mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
DMNH10H028SCT Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 60A(Tc) ±20V 2.8W(Ta) 28mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 车规

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