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AOT412  与  FDP3652  区别

型号 AOT412 FDP3652
唯样编号 A-AOT412 A3t-FDP3652
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 100 V 16 mO PowerTrench Mosfet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 100 -
功率 - 150W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.8mΩ@10V 16 毫欧 @ 61A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 19.4mΩ -
Qgd(nC) 15 -
栅极电压Vgs 25V ±20V
Td(on)(ns) 19 -
封装/外壳 TO-220 TO-220AB
连续漏极电流Id 60A 9A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 2680 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2880pF @ 25V
Trr(ns) 22 Ohms -
Td(off)(ns) 27 -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 150W 150W(Tc)
Qrr(nC) 96 -
VGS(th) 3.8 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2880pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 53nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 53nC @ 10V
Coss(pF) 260 -
Qg*(nC) 45 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT412 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 100V 25V 60A 150W 15.8mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 85,500 对比
FDP3652 ON Semiconductor 通用MOSFET

9A(Ta),61A(Tc) ±20V 150W(Tc) 16m Ohms@61A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 100V 9A 16 毫欧 @ 61A,10V -55°C~175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

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PSMN7R0-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT78 N-Channel 269W 175°C 3V 100V 100A

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