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AOT412  与  IRF3710ZPBF  区别

型号 AOT412 IRF3710ZPBF
唯样编号 A-AOT412 A-IRF3710ZPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 18 mOhm 120 nC 160 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 100 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.8mΩ@10V 18mΩ@35A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 19.4mΩ -
Qgd(nC) 15 -
栅极电压Vgs 25V ±20V
Td(on)(ns) 19 -
封装/外壳 TO-220 TO-220AB
连续漏极电流Id 60A 59A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 2680 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 25V
Trr(ns) 22 Ohms -
Td(off)(ns) 27 -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 150W 160W(Tc)
Qrr(nC) 96 -
VGS(th) 3.8 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
Coss(pF) 260 -
Qg*(nC) 45 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT412 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 100V 25V 60A 150W 15.8mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 18,000 对比
PSMN7R0-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R0-100PS_SOT78 N-Channel 269W 175℃ 3V 100V 100A

¥13.3875 

阶梯数 价格
20: ¥13.3875
50: ¥10.9734
0 对比
IPP50N10S3L-16 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP50N10S3L16AKSA1_±20V 100W(Tc) 15.7mΩ@50A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO220-3 N-Channel 100V 50A(Tc)

暂无价格 0 对比
IRF3710ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@35A,10V N-Channel 100V 59A TO-220AB

暂无价格 0 对比
STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

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