AOT266L 与 IPP029N06N 区别
| 型号 | AOT266L | IPP029N06N |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOT266L | A-IPP029N06N |
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 20 | - |
| 宽度 | - | 4.4mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.5mΩ@10V | 2.7mΩ |
| ESD Diode | No | - |
| 上升时间 | - | 15ns |
| Rds On(Max)@4.5V | 4mΩ | - |
| Qg-栅极电荷 | - | 66nC |
| Qgd(nC) | 7 | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 80S |
| Td(on)(ns) | 21 | - |
| 封装/外壳 | TO-220 | - |
| 连续漏极电流Id | 140A | 100A |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C |
| Ciss(pF) | 5650 | - |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 10mm |
| 下降时间 | - | 8ns |
| Schottky Diode | No | - |
| 高度 | - | 15.65mm |
| Trr(ns) | 27 | - |
| Td(off)(ns) | 36 | - |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 268W | 136W |
| Qrr(nC) | 145 | - |
| VGS(th) | 3.2 | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 30ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | OptiMOS5 |
| 典型接通延迟时间 | - | 17ns |
| Coss(pF) | 720 | - |
| Qg*(nC) | 65* | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOT266L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFB3206PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 60V 210A 3mΩ@75A,10V ±20V 300W N-Channel |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
IRFB7734PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 290W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.5mΩ@100A,10V N-Channel 75V 183A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
PSMN4R2-60PLQ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 263W 175°C 1.7V 60V 130A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPP029N06N | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 100A 2.7mΩ 20V 136W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRFB3206GPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@75A,10V N-Channel 60V 210A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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