AOT2610L 与 IRF3205PBF 区别
| 型号 | AOT2610L | IRF3205PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOT2610L | A-IRF3205PBF |
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 55 V 8 mOhm 146 nC 200 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 12.5 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 10.7mΩ@10V | 8mΩ@62A,10V |
| ESD Diode | No | - |
| Rds On(Max)@4.5V | 13.5mΩ | - |
| Qgd(nC) | 2.2 | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V |
| Td(on)(ns) | 8.5 | - |
| 封装/外壳 | TO-220 | TO-220AB |
| 连续漏极电流Id | 55A | 110A |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| Ciss(pF) | 2007 | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| Schottky Diode | No | - |
| Trr(ns) | 19 | - |
| Td(off)(ns) | 27 | - |
| 漏源极电压Vds | 60V | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | 75W | 200W(Tc) |
| Qrr(nC) | 69.5 | - |
| VGS(th) | 2.5 | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3247pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 146nC @ 10V |
| Coss(pF) | 177 | - |
| Qg*(nC) | 8.5 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOT2610L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 60V 20V 55A 75W 10.7mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STP80NF55-08 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 115,900 | 对比 |
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STP75NF75 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 42,600 | 对比 |
|
|
STP80NF70 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
IRF3205PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) 8mΩ@62A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 110A 55V TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
|
STP75NF75 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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