首页 > 商品目录 > > > > AOT2606L代替型号比较

AOT2606L  与  IRF1607PBF  区别

型号 AOT2606L IRF1607PBF
唯样编号 A-AOT2606L A-IRF1607PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 380 W 320 nC Through Hole Power MosFet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 16.8 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@10V 7.5mΩ@85A,10V
ESD Diode No -
Qgd(nC) 5 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 18 -
封装/外壳 TO-220 TO-220AB
连续漏极电流Id 72A 142A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 4050 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7750pF @ 25V
Trr(ns) 26 -
Td(off)(ns) 33 -
漏源极电压Vds 60V 80V
Pd-功率耗散(Max) 115W 380W(Tc)
Qrr(nC) 125 -
VGS(th) 3.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7750pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 320nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 320nC @ 10V
Coss(pF) 345 -
Qg*(nC) 22 Ohms -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT2606L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 60V 20V 72A 115W 6.5mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
STP80N6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥3.8984 

阶梯数 价格
20: ¥3.8984
100: ¥3.124
1,000: ¥2.992
1,886 对比
STP100N6F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥3.223 

阶梯数 价格
20: ¥3.223
100: ¥2.585
899 对比
STP80N6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
STP110N7F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比
IRF1607PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 380W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7.5mΩ@85A,10V N-Channel 80V 142A TO-220AB

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售