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AOT25S65L  与  STP24N60DM2  区别

型号 AOT25S65L STP24N60DM2
唯样编号 A-AOT25S65L A36-STP24N60DM2
制造商 AOS STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.2 Ohm 29 nC 150 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 190 mΩ @ 12.5A,10V 200mΩ@9A,10V
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 357W(Tc) 150W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220 TO-220
连续漏极电流Id 25A(Tc) 18A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - FDmesh™ II Plus
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1055pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 29nC @ 10V
栅极电荷Qg 26.4nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 596
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
7+ :  ¥7.711
100+ :  ¥6.523
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT25S65L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 当前型号
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥6.4482 

阶梯数 价格
1: ¥6.4482
25: ¥6.2002
50: ¥5.9618
100: ¥5.7325
200: ¥5.512
500: ¥5.3
1,000: ¥5.194
1,999 对比
STP24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

¥6.567 

阶梯数 价格
8: ¥6.567
100: ¥5.247
1,000: ¥4.862
1,350 对比
STP24N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥7.711 

阶梯数 价格
7: ¥7.711
100: ¥6.523
596 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥7.326 

阶梯数 价格
7: ¥7.326
100: ¥5.852
128 对比
IPP60R180P7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R180P7_TO-220-3

暂无价格 0 对比

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