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AOT25S65L  与  IPP60R180P7XKSA1  区别

型号 AOT25S65L IPP60R180P7XKSA1
唯样编号 A-AOT25S65L A-IPP60R180P7XKSA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 72W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 190 mΩ @ 12.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 357W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1081pF @ 400V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220 TO-220-3
连续漏极电流Id 25A(Tc) -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 280uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 180 毫欧 @ 5.6A,10V
栅极电荷Qg 26.4nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 18A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT25S65L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 当前型号
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥6.4482 

阶梯数 价格
1: ¥6.4482
25: ¥6.2002
50: ¥5.9618
100: ¥5.7325
200: ¥5.512
500: ¥5.3
1,000: ¥5.194
1,999 对比
STP24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

¥6.567 

阶梯数 价格
8: ¥6.567
100: ¥5.247
1,000: ¥4.862
1,350 对比
STP24N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥7.711 

阶梯数 价格
7: ¥7.711
100: ¥6.523
596 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥7.326 

阶梯数 价格
7: ¥7.326
100: ¥5.852
128 对比
STP24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比

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