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AOT22N50L  与  IPP50R280CEXKSA1  区别

型号 AOT22N50L IPP50R280CEXKSA1
唯样编号 A-AOT22N50L A-IPP50R280CEXKSA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 92W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 260 mΩ @ 11A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 500V -
Pd-功率耗散(Max) 417W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 773pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220 TO-220-3
连续漏极电流Id 22A(Tc) -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 350uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32.6nC @ 10V
FET功能 - 超级结
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 280 毫欧 @ 4.2A,13V
栅极电荷Qg 83nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 13A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 13V
漏源电压(Vdss) - 500V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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