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AOT20S60L  与  IPP60R160P6  区别

型号 AOT20S60L IPP60R160P6
唯样编号 A-AOT20S60L A-IPP60R160P6
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 2.1 -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 199mΩ@10V 144mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 7.6ns
Qg-栅极电荷 - 44nC
Qgd(nC) 7.6 -
栅极电压Vgs 30V 20V
封装/外壳 TO-220 -
连续漏极电流Id 20A 23.8A
工作温度 - -55°C~150°C
Ciss(pF) 1038 -
配置 - Single
长度 - 10mm
下降时间 - 5.8ns
Schottky Diode No -
高度 - 15.65mm
Trr(ns) 350 -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 266W 176W
Qrr(nC) 5.7 -
VGS(th) 4.1 -
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSP6
典型接通延迟时间 - 12.5ns
Coss(pF) 68 -
Qg*(nC) 19.8 -
库存与单价
库存 0 500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 600V 30V 20A 266W 199mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

暂无价格 12,000 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

¥6.49 

阶梯数 价格
8: ¥6.49
100: ¥5.181
708 对比
IPP60R160P6 Infineon 功率MOSFET

IPP60R160P6XKSA1_600V 23.8A 144mΩ 20V 176W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 500 对比
STP24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

¥6.336 

阶梯数 价格
8: ¥6.336
80 对比
STP24N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 150W(Tc) 200mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 N-Channel 600V 18A

¥5.742 

阶梯数 价格
9: ¥5.742
66 对比

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