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AOT12N50  与  IPP50R520CP  区别

型号 AOT12N50 IPP50R520CP
唯样编号 A-AOT12N50 A-IPP50R520CP
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 12.6 -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 520mΩ@10V 520mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 14ns
Rth - 1.9K/W
Qgd(nC) 20.1 -
栅极电压Vgs 30V 2.5V,3.5V
RthJA max - 62.0K/W
Td(on)(ns) 29 -
封装/外壳 TO-220 TO-220
连续漏极电流Id 12A 7.1A
工作温度 - -55°C~150°C
Ciss(pF) 1361 -
配置 - Single
Ptot max - 66.0W
长度 - 10mm
QG - 13.0nC
下降时间 - 17ns
Schottky Diode No -
高度 - 15.65mm
Trr(ns) 231 -
Budgetary Price €€/1k - 0.64
Td(off)(ns) 82 -
漏源极电压Vds 500V 500V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 250W 66W
Qrr(nC) 2820 -
VGS(th) 4.5 -
典型关闭延迟时间 - 80ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSCE
典型接通延迟时间 - 35ns
Coss(pF) 167 -
Qg*(nC) 29.1 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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