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AOT11S60L  与  FCP11N60F  区别

型号 AOT11S60L FCP11N60F
唯样编号 A-AOT11S60L A3t-FCP11N60F
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 600 V 0.38 Ohm Flange Mount SuperFET FRFET Mosfet - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 1.42 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 399mΩ@10V 380mΩ@5.5A,10V
ESD Diode No -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 178W 125W(Tc)
Qrr(nC) 3.3 -
VGS(th) 4.1 -
Qgd(nC) 3.8 -
栅极电压Vgs 30V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220 TO-220AB
连续漏极电流Id 11A 11A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 545 -
系列 - SuperFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1490pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 52nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 250 -
Coss(pF) 37.3 -
Qg*(nC) 11 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT11S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 600V 30V 11A 178W 399mΩ@10V

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