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AOT10B60D  与  IRG4BC20S  区别

型号 AOT10B60D IRG4BC20S
唯样编号 A-AOT10B60D A-IRG4BC20S
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 163W 60W
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 40A 38A
栅极 - 发射极电压 ±20V -
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V 600V
关闭开关能量 0.07mJ -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 20A 19A
封装/外壳 TO220 TO-220AB
集电极-发射极饱和电压 1.53V -
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 1.8V @ 15V,10A 1.6V @ 15V,10A
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
开关能量 260µJ(开),70µJ(关) 120µJ(开),2.05mJ(关)
开启时间 25ns -
测试条件 400V,10A,30 欧姆,15V 480V,10A,50 欧姆,15V
安装 THT -
集电极电流 10A -
包装类型 -
关闭时间 80.8ns -
反向恢复时间(trr) 105ns -
输入类型 标准 标准
集电极-发射极电压 600V -
FET类型 IGBT -
耗电 82W -
开启开关能量 0.26mJ -
脉冲集电极电流 40A -
25°C 时 Td(开/关)值 10ns/72ns 27ns/540ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT10B60D AOS  数据手册 IGBT晶体管

163W -55°C ~ 175°C(TJ) TO220

暂无价格 0 当前型号
IRGB4060DPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 175°C(TJ) 99W TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRG4BC20KD Infineon  数据手册 IGBT晶体管

60W -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRG4BC20KDPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 150°C(TJ) 60W TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRG4BC20S Infineon  数据手册 IGBT晶体管

60W -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRG4BC20SPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 150°C(TJ) 60W TO-220AB

暂无价格 0 对比

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