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AON7534  与  IRFHM8326TRPBF  区别

型号 AON7534 IRFHM8326TRPBF
唯样编号 A-AON7534 A-IRFHM8326TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRFHM8326 Series 30 V 70 A 4.7 mOhm N-Ch HEXFET Power MOSFET - PQFN 3.3X3.3 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5mΩ@20A,10V 4.7mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 23W 2.8W(Ta),37W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 3x3 EP PQFN
连续漏极电流Id 30A 19A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2496pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2496pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7534 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 30A 23W 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 当前型号
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.486 

阶梯数 价格
30: ¥2.486
100: ¥1.991
750: ¥1.782
1,500: ¥1.683
2,991 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 17.6A(Ta)

¥1.474 

阶梯数 价格
40: ¥1.474
50: ¥1.133
2,000: ¥1.045
2,483 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥5.1745 

阶梯数 价格
30: ¥5.1745
50: ¥3.4785
100: ¥2.9035
104 对比
NTTFS4932NTAG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比
IRFHM8326TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.8W(Ta),37W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 4.7mΩ@20A,10V PQFN N-Channel 30V 19A

暂无价格 0 对比

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