AON7522E 与 DMN3008SFG-7 区别
| 型号 | AON7522E | DMN3008SFG-7 | ||||||
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| 唯样编号 | A-AON7522E | A36-DMN3008SFG-7 | ||||||
| 制造商 | AOS | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4mΩ@20A,10V | - | ||||||
| ESD Diode | Yes | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 31W | 900mW(Ta) | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 4.6mΩ@13.5A,10V | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 3690 pF @ 10 V | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 86 nC @ 10 V | ||||||
| 封装/外壳 | DFN 3x3 EP | PowerDI3333-8 | ||||||
| 连续漏极电流Id | 34A | 17.6A(Ta) | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 406 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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AON7522E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥1.8864
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0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RQ3E150BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
￥5.6345
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2,810 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55°C~150°C(TJ) 30V 17.6A(Ta) |
￥1.375
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406 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E150BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
￥6.9821
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100 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E150BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||
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IRFH5304TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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