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AON7522E  与  DMN3008SFG-7  区别

型号 AON7522E DMN3008SFG-7
唯样编号 A-AON7522E A36-DMN3008SFG-7-1
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4mΩ@20A,10V -
ESD Diode Yes -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 31W 900mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4.6mΩ@13.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3690 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 86 nC @ 10 V
封装/外壳 DFN 3x3 EP PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 34A 17.6A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 2,478
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
1,020+ :  ¥3.0924
2,500+ :  ¥2.4184
5,000+ :  ¥1.8864
50+ :  ¥1.0197
2,000+ :  ¥0.9405
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7522E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥3.0924 

阶梯数 价格
1,020: ¥3.0924
2,500: ¥2.4184
5,000: ¥1.8864
0 当前型号
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

¥4.9637 

阶梯数 价格
40: ¥4.9637
50: ¥3.2676
100: ¥2.6927
300: ¥2.319
500: ¥2.2423
1,000: ¥2.1848
2,810 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 17.6A(Ta)

¥1.0197 

阶梯数 价格
50: ¥1.0197
2,000: ¥0.9405
2,478 对比
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

¥6.9821 

阶梯数 价格
1: ¥6.9821
100: ¥4.0357
1,500: ¥2.5586
3,000: ¥1.8499
100 对比
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

暂无价格 100 对比
IRFH5304TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比

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