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AON7522E  与  IRFH5304TRPBF  区别

型号 AON7522E IRFH5304TRPBF
唯样编号 A-AON7522E A-IRFH5304TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 3.6 W 16 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4mΩ@20A,10V 4.5mΩ@47A,10V
ESD Diode Yes -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 31W 3.6W(Ta),46W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 3x3 EP 8-PQFN(5x6)
连续漏极电流Id 34A 22A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2360pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2360pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
1,020+ :  ¥3.0924
2,500+ :  ¥2.4184
5,000+ :  ¥1.8864
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥3.0924 

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