AON7430 与 RQ3E100MNTB1 区别
| 型号 | AON7430 | RQ3E100MNTB1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AON7430 | A-RQ3E100MNTB1 |
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12mΩ@20A,10V | 8.8mΩ |
| 上升时间 | - | 17ns |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 23W | 2W |
| Qg-栅极电荷 | - | 9.9nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 2.5V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 31ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | DFN 3x3 EP | HSMT-8 |
| 连续漏极电流Id | 34A | 10A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 下降时间 | - | 6ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 7ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AON7430 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 23W 12mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFHM8342TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.6W(Ta),20W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 16mΩ@17A,10V N-Channel 30V 10A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFHM8337TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.8W(Ta),25W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
RQ3E100MNTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 2W 8.8mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
