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AON7400B  与  TPN6R303NC,LQ  区别

型号 AON7400B TPN6R303NC,LQ
唯样编号 A-AON7400B A-TPN6R303NC,LQ
制造商 AOS Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.5 mΩ @ 18A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 30 V
Pd-功率耗散(Max) 4.1W(Ta),24W(Tc) 700mW(Ta),19W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 6.3 毫欧 @ 10A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1370 pF @ 15 V
Vgs(th) - 2.3V @ 200uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 24 nC @ 10 V
封装/外壳 8-DFN-EP(3x3) 8-TSON Advance(3.1x3.1)
连续漏极电流Id 18A(Ta),40A(Tc) 20A(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
栅极电荷Qg 26nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7400B AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN-EP(3x3)

暂无价格 0 当前型号
RQ3E150GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥1.9261 

阶梯数 价格
80: ¥1.9261
100: ¥1.7153
500: ¥1.7153
1,000: ¥1.7057
1,440 对比
RQ3E150GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

暂无价格 200 对比
TPN6R303NC,LQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

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