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AON7400B  与  DMN3009SFG-7  区别

型号 AON7400B DMN3009SFG-7
唯样编号 A-AON7400B A-DMN3009SFG-7
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.5 mΩ @ 18A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 4.1W(Ta),24W(Tc) 900mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 5.5mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2000 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 42 nC @ 10 V
封装/外壳 8-DFN-EP(3x3) PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 18A(Ta),40A(Tc) 16A(Ta),45A(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 4.5V,10V
栅极电荷Qg 26nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7400B AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN-EP(3x3)

暂无价格 0 当前型号
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HSMT-8

¥1.9261 

阶梯数 价格
80: ¥1.9261
100: ¥1.7153
500: ¥1.7153
1,000: ¥1.7057
1,468 对比
RQ3E150GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

暂无价格 200 对比
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