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AON7264E  与  DMT6009LFG-7  区别

型号 AON7264E DMT6009LFG-7
唯样编号 A-AON7264E A-DMT6009LFG-7
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@17A,10V -
ESD Diode Yes -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 27.5W 2.08W(Ta),19.2W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 10mΩ@13.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1925 pF @ 30 V
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 33.5 nC @ 10 V
封装/外壳 DFN 3x3 EP PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 28A 11A(Ta),34A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7264E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

暂无价格 0 当前型号
DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比
IRFH7107 Infineon  数据手册 通用MOSFET

PQFN5x6E/G

暂无价格 0 对比

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