AON6594 与 IRFH8330TRPBF 区别
| 型号 | AON6594 | IRFH8330TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AON6594 | A-IRFH8330TRPBF |
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 61 | - |
| ESD Diode | No | - |
| Rds On(Max)@4.5V | 11mΩ | - |
| Qgd(nC) | 3.6 | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V |
| Td(on)(ns) | 5.6 | - |
| 封装/外壳 | DFN 5x6 | PQFN(5x6) |
| 连续漏极电流Id | 35A | 17A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| Ciss(pF) | 1037 | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| Schottky Diode | No | - |
| 导通电阻Rds(On) | 7mΩ@10V | 6.6mΩ@20A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1450pF @ 25V |
| Trr(ns) | 12.7 | - |
| Td(off)(ns) | 18 | - |
| 功率耗散Pd | 39W | 3.3W(Ta),35W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Qrr(nC) | 17.2 | - |
| VGS(th) | 2.2 | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 20nC @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 20nC @ 10V |
| Coss(pF) | 441 | - |
| Qg*(nC) | 6.8 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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