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AON6594  与  IRFH8330TRPBF  区别

型号 AON6594 IRFH8330TRPBF
唯样编号 A-AON6594 A-IRFH8330TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 61 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@10V 6.6mΩ@20A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 11mΩ -
Qgd(nC) 3.6 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 5.6 -
封装/外壳 DFN 5x6 PQFN(5x6)
连续漏极电流Id 35A 17A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 1037 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1450pF @ 25V
Trr(ns) 12.7 -
Td(off)(ns) 18 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 39W 3.3W(Ta),35W(Tc)
Qrr(nC) 17.2 -
VGS(th) 2.2 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1450pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
Coss(pF) 441 -
Qg*(nC) 6.8 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6594 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

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IRFH8330TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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