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AON6578  与  RQ3E150BNTB  区别

型号 AON6578 RQ3E150BNTB
唯样编号 A-AON6578 A-RQ3E150BNTB
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.4 mΩ @ 20A,10V 5.3mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 5.6W(Ta),35W(Tc) 2W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-DFN(5x6) 8-PowerVDFN
连续漏极电流Id 28A(Ta),70A(Tc) 15A(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
栅极电荷Qg 30nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3000pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥6.9821
100+ :  ¥4.0357
1,500+ :  ¥2.5586
3,000+ :  ¥1.8499
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6578 AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥2.3382 

阶梯数 价格
70: ¥2.3382
100: ¥1.9069
500: ¥1.9069
1,000: ¥1.9069
2,000: ¥1.8974
2,860 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥1.892 

阶梯数 价格
30: ¥1.892
100: ¥1.452
1,000: ¥1.21
2,000: ¥1.012
2,000 对比
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 200 对比
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥6.9821 

阶梯数 价格
1: ¥6.9821
100: ¥4.0357
1,500: ¥2.5586
3,000: ¥1.8499
100 对比
TPN4R303NL,L1Q Toshiba  数据手册 通用MOSFET

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暂无价格 0 对比

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