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AON6576  与  BSC052N03LSATMA1  区别

型号 AON6576 BSC052N03LSATMA1
唯样编号 A-AON6576 A36-BSC052N03LSATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),28W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@20A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 26W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 770pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 DFN 5x6 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 32A -
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.2 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 17A(Ta),57A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 3,325
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.08
100+ :  ¥2.475
1,250+ :  ¥2.2
2,500+ :  ¥2.079
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 当前型号
BSC052N03LSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LS_8-PowerTDFN

¥3.08 

阶梯数 价格
20: ¥3.08
100: ¥2.475
1,250: ¥2.2
2,500: ¥2.079
3,325 对比
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¥6.3244 

阶梯数 价格
30: ¥6.3244
50: ¥3.5551
100: ¥3.3731
500: ¥3.1431
1,000: ¥3.0377
2,000: ¥2.8269
2,234 对比
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PowerDI3333-8

¥2.288 

阶梯数 价格
30: ¥2.288
100: ¥1.749
1,000: ¥1.529
2,000: ¥1.441
2,000 对比
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BSC052N03LSATMA1_5.9mm

¥3.905 

阶梯数 价格
20: ¥3.905
100: ¥3.256
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BSC0906NSATMA1_5.9mm

¥1.936 

阶梯数 价格
30: ¥1.936
100: ¥1.551
279 对比

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