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AON6522  与  IRFH4210D  区别

型号 AON6522 IRFH4210D
唯样编号 A-AON6522 A-IRFH4210D
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 353 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 0.95mΩ@10V 1.35mΩ
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 1.3mΩ -
Qgd(nC) 21.4 -
栅极电压Vgs 20V 20V
Td(on)(ns) 12.3 -
封装/外壳 DFN 5x6 PQFN 5 x 6 B
连续漏极电流Id 200A 266A
Ciss(pF) 7036 -
Ptot max - 125.0W
QG - 37.0nC
Schottky Diode No -
Trr(ns) 31 -
Budgetary Price €€/1k - 0.8
RthJC max - 1.0K/W
Td(off)(ns) 68.5 -
Ptot (@ TA=25°C) max - 3.5W
漏源极电压Vds 25V 25V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 83W -
Qrr(nC) 106 -
VGS(th) 2 -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 13.2nC
Mounting - SMD
Coss(pF) 2778 -
Qg*(nC) 49.7 -
Tj max - 150.0°C
库存与单价
库存 6 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥8.9744
100+ :  ¥7.1429
1,000+ :  ¥5.1471
1,500+ :  ¥4.4304
3,000+ :  ¥3.5
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6522 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 25V 20V 200A 83W 0.95mΩ@10V

¥8.9744 

阶梯数 价格
1: ¥8.9744
100: ¥7.1429
1,000: ¥5.1471
1,500: ¥4.4304
3,000: ¥3.5
6 当前型号
IRFH8201TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.6W(Ta),156W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 0.95mΩ@50A,10V N-Channel 25V 49A 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
IRFH8202TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.6W(Ta),160W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 1.05mΩ@50A,10V N-Channel 25V 47A 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
AON6522_002 AOS  数据手册 功率MOSFET

71A(Ta),200A(Tc) N-Channel ±20V 0.95 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(5x6) 7.3W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 25V

暂无价格 0 对比
IRFH4210D Infineon  数据手册 功率MOSFET

25V PQFN 5 x 6 B 1.35mΩ N-Channel 20V 266A

暂无价格 0 对比
IRFH8201 Infineon  数据手册 功率MOSFET

0.95mΩ 25V PQFN 5 x 6 B N-Channel 20V 324A

暂无价格 0 对比

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