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AON6516  与  RQ3E180GNTB  区别

型号 AON6516 RQ3E180GNTB
唯样编号 A-AON6516 A33-RQ3E180GNTB-0
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 83 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 5mΩ@10V 4.3mΩ@18A,10V
ESD Diode No -
上升时间 - 6.9ns
Rds On(Max)@4.5V 8mΩ -
Qg-栅极电荷 - 22.4nC
Qgd(nC) 5.5 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 17S
Td(on)(ns) 7 -
封装/外壳 DFN 5x6 HSMT-8
连续漏极电流Id 56A 18A
工作温度 - -55°C~150°C
Ciss(pF) 1229 -
配置 - Single
下降时间 - 10.2ns
Schottky Diode No -
Trr(ns) 12.6 -
Td(off)(ns) 24 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 25W 2W
Qrr(nC) 15.2 -
VGS(th) 2.2 -
典型关闭延迟时间 - 56.8ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
典型接通延迟时间 - 16.5ns
Coss(pF) 526 -
Qg*(nC) 12 -
库存与单价
库存 0 104
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥5.1745
50+ :  ¥3.4785
100+ :  ¥2.9035
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 56A 25W 5mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.486 

阶梯数 价格
30: ¥2.486
100: ¥1.991
750: ¥1.782
1,500: ¥1.683
2,991 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥5.1745 

阶梯数 价格
30: ¥5.1745
50: ¥3.4785
100: ¥2.9035
104 对比
DMN3008SFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 17.6A(Ta)

暂无价格 0 对比
AON6418 AOS  数据手册 功率MOSFET

14A(Ta),36A(Tc) N-Channel ±20V 5 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(5x6) 6W(Ta),25W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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