AON6516 与 RQ3E180GNTB 区别
| 型号 | AON6516 | RQ3E180GNTB |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AON6516 | A-RQ3E180GNTB |
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 83 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5mΩ@10V | 4.3mΩ@18A,10V |
| ESD Diode | No | - |
| 上升时间 | - | 6.9ns |
| Rds On(Max)@4.5V | 8mΩ | - |
| Qg-栅极电荷 | - | 22.4nC |
| Qgd(nC) | 5.5 | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 17S |
| Td(on)(ns) | 7 | - |
| 封装/外壳 | DFN 5x6 | HSMT-8 |
| 连续漏极电流Id | 56A | 18A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| Ciss(pF) | 1229 | - |
| 配置 | - | Single |
| 下降时间 | - | 10.2ns |
| Schottky Diode | No | - |
| Trr(ns) | 12.6 | - |
| Td(off)(ns) | 24 | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 25W | 2W |
| Qrr(nC) | 15.2 | - |
| VGS(th) | 2.2 | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 56.8ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 典型接通延迟时间 | - | 16.5ns |
| Coss(pF) | 526 | - |
| Qg*(nC) | 12 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AON6516 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 56A 25W 5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
|
RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.0378
|
2,941 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥5.8741
|
2,775 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥5.8741
|
104 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
