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AON6502  与  IRFH8311  区别

型号 AON6502 IRFH8311
唯样编号 A-AON6502 A-IRFH8311
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 175 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.2mΩ@10V 3.2mΩ
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 2.7mΩ -
Qgd(nC) 10.3 -
栅极电压Vgs 20V 20V
Td(on)(ns) 7.5 -
封装/外壳 DFN 5x6 PQFN 5 x 6 E/G
连续漏极电流Id 85A 26A
Ciss(pF) 3430 -
Ptot max - 96.0W
QG - 30.0nC
Schottky Diode No -
Trr(ns) 22 Ohms -
Budgetary Price €€/1k - 0.36
RthJC max - 1.3K/W
Td(off)(ns) 33.8 -
Ptot (@ TA=25°C) max - 3.6W
漏源极电压Vds 30V 30V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 83W -
Qrr(nC) 58 -
VGS(th) 2.2 -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 8.6nC
Mounting - SMD
Coss(pF) 1327 -
Qg*(nC) 25 -
Tj max - 150.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6502 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 85A 83W 2.2mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
IRFH8311 Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V PQFN 5 x 6 E/G 3.2mΩ N-Channel 20V 26A

暂无价格 0 对比

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