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AON6414A  与  IRFH8334  区别

型号 AON6414A IRFH8334
唯样编号 A-AON6414A A-IRFH8334
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@20A,10V 13.5mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 3.2W
漏源极电压Vds 30V 30V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 31W -
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 2.3nC
封装/外壳 DFN 5x6 PQFN 5 x 6 E
Mounting - SMD
连续漏极电流Id 30A 12A
工作温度 -55°C~150°C -
Ptot max - 30.0W
QG - 7.1nC
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.2
RthJC max - 4.1K/W
库存与单价
库存 502 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥1.2051
100+ :  ¥0.9592
1,000+ :  ¥0.6912
1,500+ :  ¥0.5949
3,000+ :  ¥0.47
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6414A AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 30A 31W 8mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.2051 

阶梯数 价格
1: ¥1.2051
100: ¥0.9592
1,000: ¥0.6912
1,500: ¥0.5949
3,000: ¥0.47
502 当前型号
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

暂无价格 0 对比
IRFH8334TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 14A(Ta),44A(Tc) ±20V 3.2W(Ta),30W(Tc) 9mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PQFN 5X6 8L

暂无价格 0 对比
DMG7702SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 890mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 12A(Ta)

暂无价格 0 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

暂无价格 0 对比
IRFH8334 Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V PQFN 5 x 6 E 13.5mΩ N-Channel 20V 12A

暂无价格 0 对比

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