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AON6414AL  与  BSC057N03MSGATMA1  区别

型号 AON6414AL BSC057N03MSGATMA1
唯样编号 A-AON6414AL A-BSC057N03MSGATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 15A/71A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),45W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 8 mΩ @ 20A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2.3W(Ta),31W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3100pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 8-DFN(5x6) 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 13A(Ta),30A(Tc) -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 40nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.7 毫欧 @ 30A,10V
栅极电荷Qg 24nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±16V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 15A(Ta),71A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6414AL AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN(5x6)

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