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AON6314  与  IRFH7932TRPBF  区别

型号 AON6314 IRFH7932TRPBF
唯样编号 A-AON6314 A-IRFH7932TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 30V, 104A, 0.0033 ohms, PQFN 5x6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.8mΩ@20A,10V 3.9mΩ
上升时间 - 48ns
Qg-栅极电荷 - 34nC
栅极电压Vgs ±12V 20V
正向跨导 - 最小值 - 59S
封装/外壳 DFN 5x6 EP PQFN(5x6)
连续漏极电流Id 85A 104A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
配置 - Single
长度 - 6mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 20ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4270pF @ 15V
高度 - 1mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 32.5W 3.4W
典型关闭延迟时间 - 23ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4270pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 51nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 20ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 51nC @ 4.5V
库存与单价
库存 2,982 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥3.8462
100+ :  ¥3.0612
1,000+ :  ¥2.2059
1,500+ :  ¥1.8987
3,000+ :  ¥1.5
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥3.8462 

阶梯数 价格
1: ¥3.8462
100: ¥3.0612
1,000: ¥2.2059
1,500: ¥1.8987
3,000: ¥1.5
2,982 当前型号
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