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AON6292  与  BSC060N10NS3GATMA1  区别

型号 AON6292 BSC060N10NS3GATMA1
唯样编号 A-AON6292 A-BSC060N10NS3GATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 125W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@20A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 156W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4900pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 DFN 5x6 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 85A -
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 90uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 68nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 6 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 14.9A(Ta),90A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
490+ :  ¥26.1781
1,000+ :  ¥20.5991
1,500+ :  ¥16.1096
3,000+ :  ¥12.5655
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6292 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 100V ±20V 85A 156W 6mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥26.1781 

阶梯数 价格
490: ¥26.1781
1,000: ¥20.5991
1,500: ¥16.1096
3,000: ¥12.5655
0 当前型号
STL100N10F7 STMicro  数据手册 功率MOSFET

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BSC060N10NS3GATMA1_100V 90A 6mΩ@50A,10V ±20V 125W N-Channel -55°C~150°C TDSON-8-1

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