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AON6260  与  TPH2R306NH,L1Q  区别

型号 AON6260 TPH2R306NH,L1Q
唯样编号 A-AON6260 A-TPH2R306NH,L1Q
制造商 AOS Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 75 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.4mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 3.5mΩ -
产品状态 - 在售
Qgd(nC) 12 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6100 pF @ 30 V
Vgs(th) - 4V @ 1mA
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 13.5 -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 72 nC @ 10 V
封装/外壳 DFN 5x6 8-SOP Advance(5x5)
连续漏极电流Id 85A 60A(Tc)
工作温度 - 150°C(TJ)
Ciss(pF) 5578 -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 30 -
Td(off)(ns) 50 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V 60 V
Pd-功率耗散(Max) 104W 1.6W(Ta),78W(Tc)
Qrr(nC) 130 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2.3 毫欧 @ 30A,10V
VGS(th) 2.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
Coss(pF) 1390 -
Qg*(nC) 37 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6260 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 60V 20V 85A 104W 2.4mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
TPH2R306NH,L1Q Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.6W(Ta),78W(Tc) 8-SOP Advance(5x5) 150°C(TJ) 60 V 60A(Tc)

暂无价格 0 对比
AON6260L AOS 功率MOSFET

N-Channel

暂无价格 0 对比

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