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AON6230  与  IRFH7004TRPBF  区别

型号 AON6230 IRFH7004TRPBF
唯样编号 A-AON6230 A-IRFH7004TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRFH7004 Series 40 V 100 A 1.4 mOhm N-Ch HEXFET Power MOSFET - PQFN 5X6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 105 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.44mΩ@10V 1.4mΩ@100A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 2.1mΩ -
Qgd(nC) 13 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 12 -
封装/外壳 DFN 5x6 8-PQFN(5x6)
连续漏极电流Id 85A 259A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 6050 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6419pF @ 25V
Trr(ns) 28 -
Td(off)(ns) 59 -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 104W 156W(Tc)
Qrr(nC) 98 -
VGS(th) 2.3 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6419pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 194nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 194nC @ 10V
Coss(pF) 1640 -
Qg*(nC) 35 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6230 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 40V 20V 85A 104W 1.44mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
IRFH7004TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 156W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 1.4mΩ@100A,10V N-Channel 40V 259A 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比

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