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AOK60N30L  与  IRFP4137PBF  区别

型号 AOK60N30L IRFP4137PBF
唯样编号 A-AOK60N30L A-IRFP4137PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRFB4137 Series 300 V 40 A 69 mOhm Mosfet - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 38 -
宽度 - 5.31mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 560mΩ@10V 69mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 23ns
Qg-栅极电荷 - 125nC
Qgd(nC) 28 -
栅极电压Vgs 30V 5V
正向跨导 - 最小值 - 45S
封装/外壳 TO-247 TO-247AC
连续漏极电流Id 60A 38A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 4438 -
配置 - Single
长度 - 15.87mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 20ns
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5168pF @ 50V
高度 - 20.7mm
Trr(ns) 320 -
漏源极电压Vds 300V 300V
Pd-功率耗散(Max) 658W 341W
Qrr(nC) 14.5 -
VGS(th) 4.1 -
典型关闭延迟时间 - 34ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5168pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 125nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 18ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 125nC @ 10V
Coss(pF) 593 -
Qg*(nC) 88 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥33.572
100+ :  ¥26.255
240+ :  ¥20.4789
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOK60N30L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-247 N-Channel 300V 30V 60A 658W 560mΩ@10V

¥33.572 

阶梯数 价格
10: ¥33.572
100: ¥26.255
240: ¥20.4789
0 当前型号
IRFP4137PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-247AC 300V 38A 69mΩ 5V 341W N-Channel

暂无价格 0 对比

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