首页 > 商品目录 > > > > AOK53S60代替型号比较

AOK53S60  与  IPW60R080P7XKSA1  区别

型号 AOK53S60 IPW60R080P7XKSA1
唯样编号 A-AOK53S60 A-IPW60R080P7XKSA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 3 -
功率耗散(最大值) - 129W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 70mΩ@10V -
ESD Diode No -
Qgd(nC) 19 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2180pF @ 400V
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 48 -
封装/外壳 TO-247 TO-247-3
连续漏极电流Id 53A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 51nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 3034 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 80 毫欧 @ 11.8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 664 -
Td(off)(ns) 215 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 520W -
Qrr(nC) 14000 -
VGS(th) 3.8 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 590uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 37A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
Coss(pF) 222 -
Qg*(nC) 59* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOK53S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-247

暂无价格 0 当前型号
IPW60R070CFD7 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPW60R070CFD7XKSA1_TO-247

暂无价格 240 对比
SPW47N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPW47N60C3FKSA1_PG-TO247-3

¥23.925 

阶梯数 价格
3: ¥23.925
10: ¥20.625
12 对比
STW48N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

¥10.395 

阶梯数 价格
5: ¥10.395
5 对比
STW48N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
IPW60R080P7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R080P7_TO-247-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售