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AOK42S60L  与  IPW60R125CP  区别

型号 AOK42S60L IPW60R125CP
唯样编号 A-AOK42S60L A-IPW60R125CP
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 2.7 -
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@10V 110mΩ
ESD Diode No -
Qg-栅极电荷 - 70nC
Qgd(nC) 11.9 -
栅极电压Vgs 30V 20V
封装/外壳 TO-247 -
连续漏极电流Id 39A 25A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 2154 -
配置 - Single
长度 - 16.13mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 5ns
Schottky Diode No -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2500pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 1.1mA
高度 - 21.1mm
Trr(ns) 473 -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 417W 208W
Qrr(nC) 10.5 -
VGS(th) 3.8 -
典型关闭延迟时间 - 50ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSCE
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 70nC @ 10V
Coss(pF) 135 -
Qg*(nC) 40 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOK42S60L AOS 功率MOSFET

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