AOK42S60L 与 IPW60R099C6 区别
| 型号 | AOK42S60L | IPW60R099C6 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOK42S60L | A-IPW60R099C6 |
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 2.7 | - |
| 宽度 | - | 5.21mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 900mΩ@10V | 90mΩ |
| ESD Diode | No | - |
| 上升时间 | - | 12ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 119nC |
| Qgd(nC) | 11.9 | - |
| 栅极电压Vgs | 30V | 20V |
| 封装/外壳 | TO-247 | - |
| 连续漏极电流Id | 39A | 37.9A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| Ciss(pF) | 2154 | - |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 16.13mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 下降时间 | - | 6ns |
| Schottky Diode | No | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2660pF @ 100V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.5V @ 1.21mA |
| 高度 | - | 21.1mm |
| Trr(ns) | 473 | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 417W | 278W |
| Qrr(nC) | 10.5 | - |
| VGS(th) | 3.8 | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 75ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | CoolMOSC6 |
| 典型接通延迟时间 | - | 15ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 119nC @ 10V |
| Coss(pF) | 135 | - |
| Qg*(nC) | 40 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOK42S60L | AOS | 功率MOSFET |
TO-247 N-Channel 600V 30V 39A 417W 900mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
|
STW36NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 52,010 | 对比 |
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STW36NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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|
STW43NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPW60R099C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 600V 37.9A 90mΩ 20V 278W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
STW34NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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