AOH3106 与 ZXMN10A11GTA 区别
| 型号 | AOH3106 | ZXMN10A11GTA |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOH3106 | A36-ZXMN10A11GTA |
| 制造商 | AOS | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 8 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 360mΩ@10V | - |
| ESD Diode | No | - |
| Rds On(Max)@4.5V | 385mΩ | - |
| Qgd(nC) | 1.4 | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 274 pF @ 50 V |
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V |
| Td(on)(ns) | 3.5 | - |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 5.4 nC @ 10 V |
| 封装/外壳 | SOT223 | SOT-223-3 |
| 连续漏极电流Id | 2A | 1.7A(Ta) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| Ciss(pF) | 185 | - |
| Schottky Diode | No | - |
| Trr(ns) | 17 | - |
| Td(off)(ns) | 16 | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | 2W(Ta) |
| Qrr(nC) | 14.5 | - |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 350mΩ@2.6A,10V |
| VGS(th) | 2 | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 驱动电压 | - | 6V,10V |
| Coss(pF) | 19 | - |
| Qg*(nC) | 2.5 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOH3106 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT223 N-Channel 100V 20V 2A 3.1W 360mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
ZXMN10A11GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55°C~150°C(TJ) 100V 1.7A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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